ON Semiconductor tranzistor (BJT) MJ11016G TO-3 Kanálů 1 NPN Darlington
Kód: C151307
Výrobce: ON Semiconductor
Dostupnost: k dodání 2 - 5 dnů
Cena: 345,- Kč s DPH
STPřidat do košíku
| Technické parametry | |
| Množství | 1 ks |
| Výrobce | ON Semiconductor |
| Kanálů | 1 |
| Typ pouzdra (polovodiče) | TO-3 |
| Typ tranzistoru | NPN Darlington |
| Zkratka výrobce (součástky) | OnS |
| Typ (výrobce) | MJ11016G |
| Provedení | NPN |
| Způsob montáže | průchozí otvor |
| Unikající proud kolektoru I (CES) | 1 mA |
| Napětí kolektor- emitor U (CEO) | 120 V |
| Kolektorový proud I(C) | 30 A |
| Referenční proud DC hFE | 20 A |
| DC hFE - referenční napětí | 5 V |
| Stejnosměrný proud - zisk (hFE) | 1000 |
| Výkon Pmax | 200 W |
| Přenosová frekvence (f) | 4 MHz |
| Saturace VCE (max.) | 4 V |
| Typ | MJ 11016 |
| Kategorie produktu | tranzistor (BJT) |