Infineon Technologies IRF3710SPBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 200 W D2PAK
Kód: C162398
Výrobce: Infineon Technologies
Dostupnost: k dodání 2 - 5 dnů
Cena: 67,- Kč s DPH
STPřidat do košíku
| Technické parametry | |
| Množství | 1 ks |
| Výrobce | Infineon Technologies |
| Kanálů | 1 |
| Typ pouzdra (polovodiče) | D2PAK |
| Typ tranzistoru | N-kanál |
| Série (polovodiče) | HEXFET® |
| Vlastnost tranzistoru | standardní |
| Zkratka výrobce (součástky) | INF |
| Typ (výrobce) | IRF3710SPBF |
| Provedení | HEXFET |
| Způsob montáže | povrchová montáž |
| C(ISS) | 3130 pF |
| Referenční napětí C(ISS) | 25 V |
| I(d) | 57 A |
| Provozní teplota (max.) | +175 °C |
| Provozní teplota (min.) | -55 °C |
| Výkon Pmax | 200 W |
| Q(G) | 130 nC |
| Referenční napětí Q(G) | 10 V |
| R(DS)(on) | 23 mΩ |
| Referenční proud R(DS)(on) | 28 A |
| Referenční napětí R(DS)(on) | 10 V |
| U(GS)(th) max. referenční proud | 250 µA |
| U(DSS) | 100 V |
| U(GS)(th) max. | 4 V |
| Typ | IRF 3710 S |
| Popis | 100 V/46 A |
| Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS) | 100 V |
| Kategorie produktu | tranzistor MOSFET |