Infineon Technologies IRLD024PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 1.3 W HEXDIP
Kód: C162806
Výrobce: Infineon Technologies
Dostupnost: k dodání 2 - 5 dnů
Cena: 57,- Kč s DPH
STPřidat do košíku
| Technické parametry | |
| Množství | 1 ks |
| Výrobce | Infineon Technologies |
| Kanálů | 1 |
| Typ pouzdra (polovodiče) | HEXDIP |
| Typ tranzistoru | N-kanál |
| Vlastnost tranzistoru | hradlo s logickou úrovní |
| Zkratka výrobce (součástky) | VIS |
| Typ (výrobce) | IRLD024PBF |
| Provedení | HEXFET |
| Způsob montáže | průchozí otvor |
| C(ISS) | 870 pF |
| Referenční napětí C(ISS) | 25 V |
| I(d) | 2.5 A |
| Provozní teplota (max.) | +175 °C |
| Provozní teplota (min.) | -55 °C |
| Výkon Pmax | 1.3 W |
| Q(G) | 18 nC |
| Referenční napětí Q(G) | 5 V |
| R(DS)(on) | 100 mΩ |
| Referenční proud R(DS)(on) | 1.5 A |
| Referenční napětí R(DS)(on) | 5 V |
| U(GS)(th) max. referenční proud | 250 µA |
| U(DSS) | 60 V |
| U(GS)(th) max. | 2 V |
| Typ | IRLD 024 |
| Popis | 60 V/2|ツ|4 A |
| Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS) | 60 V |
| Kategorie produktu | tranzistor MOSFET |