ON Semiconductor FDP18N50 tranzistor MOSFET 1 N-kanál 235 W TO-220-3
Kód: C1263794
Výrobce: ON Semiconductor
Dostupnost: k dodání 2 - 5 dnů
Cena: 147,- Kč s DPH
STPřidat do košíku
| Technické parametry | |
| Množství | 1 ks |
| Výrobce | ON Semiconductor |
| Kanálů | 1 |
| Typ pouzdra (polovodiče) | TO-220-3 |
| Typ tranzistoru | N-kanál |
| Série (polovodiče) | UniFET™ |
| Vlastnost tranzistoru | standardní |
| Zkratka výrobce (součástky) | OnS |
| Typ (výrobce) | FDP18N50 |
| Způsob montáže | průchozí otvor |
| C(ISS) | 2860 pF |
| Referenční napětí C(ISS) | 25 V |
| I(d) | 18 A |
| Provozní teplota (max.) | +150 °C |
| Provozní teplota (min.) | -55 °C |
| Výkon Pmax | 235 W |
| Q(G) | 60 nC |
| Referenční napětí Q(G) | 10 V |
| R(DS)(on) | 265 mΩ |
| Referenční proud R(DS)(on) | 9 A |
| Referenční napětí R(DS)(on) | 10 V |
| U(GS)(th) max. referenční proud | 250 µA |
| U(DSS) | 500 V |
| U(GS)(th) max. | 5 V |
| Typ | FDP18N50 |
| Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS) | 500 V |
| Typ pouzdra | TO-220-3 |
| Kategorie produktu | tranzistor MOSFET |